삼성전자가 세계 최초로 기존 2세대(32단) 128기가비트(Gb) 낸드보다 용량을 2배 향상시킨 ‘256기가비트 3차원 V낸드’ 양산에 성공했다.
이번 256기가비트 V낸드는 데이터를 저장하는 ‘3차원 셀(Cell)’을 기존(32단)보다 1.5배 더 쌓아 올리는 삼성전자의 ‘3세대(48단) V낸드 기술’이 적용된 업계 최고 용량의 메모리 칩이다.
삼성전자 3세대 256기가비트(Gb) V낸드 (사진 = 삼성전자 제공)
‘256기가비트 V낸드’는 칩 하나만으로도 스마트폰에 탑재하는 32기가바이트(GB) 용량의 메모리카드를 만들 수 있다.
또한 기존 128기가비트 낸드가 적용된 SSD와 동일 크기를 유지하면서 용량을 2배 높일 수 있어 ‘테라 SSD 대중화’를 위한 최적의 솔루션을 제공한다.
삼성전자는 현재까지 업계에서 유일하게 V낸드를 양산하고 있으며, 작년 8월 2세대(32단) 3비트 V낸드를 생산한지 1년만에 3세대 3비트 V낸드를 본격 양산함으로써 3차원 메모리 기술리더십을 더욱 확고히 했다.
이번에 양산을 시작한 3세대 V낸드는 ‘셀(Cell)’이 형성될 단층을 48단으로 쌓고 나서 약 18억개의 원형 홀을 수직으로 뚫은 다음, 총 853억개 이상의 셀을 고속 동작시키며, 각 ‘셀(Cell)’마다 3개의 데이터 (3비트)를 저장할 수 있어 총 2,560억개의 데이터를 읽고 쓴다.
이번 256기가비트 V낸드는 쓰기 성능과 절전 효과를 동시에 높여 글로벌 고객들이 효율적인 차세대 대규모 스토리지 시스템을 구축하는데 크게 기여할 것으로 기대된다.
특히 ‘3차원 원통형 CTF(3D Charge Trap Flash) 셀 구조’와 ‘48단 수직 적층 공정’, ‘3비트 저장기술’을 적용해 2세대 V낸드보다 데이터를 더욱 빠르게 저장하고, 소비 전력량을 30% 이상 줄였다.
또한 기존 32단 양산 설비를 최대한 활용함으로써 제품 생산성을 약 40%나 높여 원가 경쟁력도 대폭 강화했다.
삼성전자는 지난 달 2테라바이트(TB) SSD 제품 출시를 계기로 본격 추진하고 있는 ‘테라 SSD 대중화’를 더욱 앞당기기 위해 3세대 V낸드 생산을 위한 투자를 계획대로 추진해 나갈 예정이다.
삼성전자 메모리사업부 전영현 사장은 “3세대 V낸드 양산으로 글로벌 기업과 소비자들에게 더욱 편리한 대용량 고효율 스토리지 솔루션을 제공할 수 있게 됐다.”며, “향후 V낸드 기술의 우수성을 최대로 발휘할 수 있는 초고속 프리미엄 SSD 시장에서 사업 영역을 지속 확대하며 독보적인 사업 위상을 유지해 나갈 것”이라고 밝혔다.
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