삼성전자가 무선 통신 성능을 대폭 강화한 차세대 5G 밀리미터파(mmWave) 기지국용 무선 통신 핵심칩(RFIC) 개발에 성공했다고 22일 밝혔다.
차세대 무선 통신 핵심칩은 지원 주파수와 통신 성능을 대폭 개선하면서도 저전력 성능은 여전히 업계 최고 수준인 것이 특징이다.
삼성전자는 2017년 업계 최고 수준의 저전력 성능을 가진 1세대 무선 통신 핵심칩을 개발한 바 있다.
차세대 무선 통신 핵심칩은 신호 대역폭을 기존 800MHz에서 1.4GHz로 75% 확대했으며 노이즈와 선형성 특성을 개선해 송수신 감도를 향상시켜 최대 데이터 전송률과 서비스 커버리지를 확대했다.
또한 차세대 무선 통신 핵심칩의 크기도 기존 대비 약 36% 작아졌고 저전력 기능과 방열구조물 최소화로 5G 기지국을 더욱 소형화할 수 있다.
이번 차세대 무선 통신 핵심칩은 28GHz과 39GHz에 대응 가능하다.
해당 대역을 5G 상용 주파수 대역으로 선정한 미국, 한국 등에서 5G 제품 경쟁력을 한층 강화할 수 있게 됐다.
삼성전자는 올 2분기부터 차세대 무선 통신 핵심칩을 양산할 예정이다.
유럽, 미국에서 추가 할당 예정인 24GHz, 47GHz 주파수 대응 칩은 올해 안에 추가 개발한다.
한편 삼성전자는 디지털-아날로그변환 칩(DAFE) 자체 개발에도 성공했다.
디지털-아날로그변환 칩은 5G 초광대역폭 통신 시 디지털 신호와 아날로그 신호를 상호 변환하는 칩으로 5G 기지국에 적용하면 제품의 크기와 무게, 전력 소모를 약 25% 줄일 수 있다.
기지국의 소형·경량화는 통신 사업자의 네트워크 투자비용 및 운영비용을 줄여 더 많은 지역에서 더 빨리 5G 서비스를 제공할 수 있게 된다.
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