2022.01.22 06:23 |
삼성전자, MRAM 기반 인-메모리 컴퓨팅 세계 최초 구현
2022/01/14 08:30 입력
트위터로 기사전송 페이스북으로 기사전송 구글+로 기사전송 C로그로 기사전송
데이터 저장뿐만 아니라 데이터의 연산까지 수행하는 최첨단 칩 기술
삼성전자 연구진이 MRAM(자기저항메모리, Magnetoresistive Random Access Memory)을 기반으로 한 인-메모리(In-Memory) 컴퓨팅을 세계 최초로 구현하고, 연구 결과를 세계적인 학술지 네이처(Nature)에 게재했다.

이번 연구는 정승철 삼성전자 종합기술원 전문연구원이 제1저자로, 함돈희 종합기술원 펠로우 및 하버드대학교 교수와 김상준 종합기술원 마스터가 공동 교신저자로 참여했다.

삼성전자 종합기술원, 반도체연구소, 파운드리사업부 연구원들도 공동으로 연구에 참여했다.

기존 컴퓨터는 데이터의 저장을 담당하는 메모리 칩과 데이터의 연산을 책임지는 프로세서 칩을 따로 나눠 구성한다.

인-메모리 컴퓨팅은 메모리 내에서 데이터의 저장뿐만 아니라 데이터의 연산까지 수행하는 최첨단 칩 기술이다.

메모리 내 대량의 정보를 이동 없이 메모리 내에서 병렬 연산하기 때문에 전력 소모가 현저히 낮아 차세대 저전력 인공지능(AI) 칩을 만드는 유력한 기술로 주목받고 있다.

RRAM (저항메모리, Resistive RAM)과 PRAM (상변화메모리, Phase-change RAM) 등 비휘발성 메모리를 활용한 인-메모리 컴퓨팅의 구현은 수년간 전 세계적으로 관심이 높은 연구 주제였다.

하지만 또 다른 비휘발성 메모리인 MRAM은 데이터 안정성이 높고 속도가 빠른 장점에도 낮은 저항값을 갖는 특성으로 인-메모리 컴퓨팅에 적용해도 전력 이점이 크지 않아 인-메모리 컴퓨팅으로 구현되지 못했다.

삼성전자 연구진은 이러한 MRAM의 한계를 기존의 ‘전류 합산’ 방식이 아닌 새로운 개념의 ‘저항 합산’ 방식의 인-메모리 컴퓨팅 구조를 제안함으로써 저전력 설계에 성공했다.

연구진은 MRAM 기반 인-메모리 컴퓨팅 칩의 성능을 인공지능 계산에 응용해 숫자 분류에서는 최대 98%, 얼굴 검출에서는 93%의 정확도로 동작하는 것을 검증했다.

이번 연구는 시스템 반도체 공정과 접목해 대량 생산할 수 있는 비휘발성 메모리인 MRAM을 세계 최초로 인-메모리 컴퓨팅으로 구현하고, 차세대 저전력 AI 칩 기술의 지평을 확장했다는 데 큰 의미가 있다.

삼성전자는 초격차 메모리 기술 역량을 시스템 반도체 기술과 접목해 차세대 컴퓨팅 및 인공지능 반도체 분야에서 지속적으로 기술 리더십을 확장해 나갈 계획이다.

[ 류석균 기자 jisik4523@newskan.com ]
류석균 기자 기자의 다른 기사 보기
기사제보 및 보도자료 news@newskan.com
뉴스칸(www.newskan.com) - copyright ⓒ 경제신문 No.1 뉴스칸. 무단전재 & 재배포 금지

화제의 포토

화제의 포토더보기

    화제의동영상

    화제의 동영상
    • 회사소개
    • 광고안내
    • 제휴·광고문의
    • 기사제보
    • 정기구독신청
    • 다이렉트결제
    • 고객센터
    • 저작권정책
    • 회원약관
    • 개인정보취급방침
    • 이메일주소무단수집거부
    • RSS
    • 명칭 : (주)미래와경영 | 주소 : 서울특별시 금천구 가산디지털1로 84, 11층 | 인터넷신문등록번호 : 서울 아02668 | 제호 : 뉴스칸
      등록일자 : 2013.05.28 | 발행인,편집인 : 조헌성 | 통신판매업신고 : 제 2016-서울금천-1118호 | E-mail : news@newskan.com
      사업자등록번호 : 220-81-81950 | 전화번호 : 02)837-4490 | 청소년보호책임자 : 류석균
      Copyrights © NEWSKAN. All rights reserved. 
      경제신문 No.1 뉴스칸의 모든 콘텐츠(기사)는 저작권법의 보호를 받습니다. 무단 전재·복사·배포 등을 금합니다.