2020.04.04 17:26 |
삼성전자, D램에 EUV 첫 적용… 고객사에 모듈 100만개 공급
2020/03/25 09:10 입력
트위터로 기사전송 페이스북으로 기사전송 구글+로 기사전송 C로그로 기사전송
패터닝 정확도 높여 성능과 수율 향상
삼성전자가 업계 최초로 D램에 EUV 공정을 적용해 양산 체제를 갖췄다.

삼성전자가 EUV 공정을 적용해 생산한 1세대(1x) 10나노급(1나노: 10억분의 1미터) DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈 100만개 이상을 공급하여 글로벌 고객의 평가를 완료했다.

이로써 삼성전자는 메모리 업계 최초로 차세대 D램 제품부터 ‘EUV 공정’을 전면 적용해 반도체 미세공정의 한계를 돌파할 채비를 갖추고 D램의 새로운 패러다임을 제시했다.

EUV 노광 기술을 적용하면 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝(Multi-Patterning) 공정을 줄이면서 패터닝 정확도를 높이게 되어 성능과 수율을 향상시키고 제품 개발 기간을 단축할 수 있는 장점이 있다.

삼성전자는 현재 EUV 공정으로 14나노 초반대 ‘4세대 10나노급(1a) D램 양산 기술’을 개발하고 있으며 향후 차세대 제품의 품질과 수율도 기존 공정 제품 이상으로 향상시킬 예정이다.

EUV를 이용해 만든 4세대 10나노급(1a) D램은 1세대 10나노급(1x) D램보다도 12인치 웨이퍼당 생산성을 2배 높여 사업 경쟁력을 더욱 강화할 수 있게 됐다.

삼성전자는 2021년에 성능과 용량을 더욱 높인 4세대 10나노급(1a) D램(DDR5, LPDDR5)을 양산하고 5세대, 6세대 D램도 선행 개발해 프리미엄 메모리 시장에서의 기술 리더십을 더욱 강화해 나간다는 전략이다.

한편 삼성전자는 2021년부터 DDR5/LPDDR5 D램 시장의 본격 확대에 맞춰 글로벌 IT 고객과 기술협력을 강화하고 업체 간 다양한 표준화 활동을 추진해 차세대 시스템에서 신제품 탑재 비중을 지속적으로 높여 나갈 예정이다.

또한 2020년 하반기 평택 신규 라인을 가동함으로써 증가하는 차세대 프리미엄 D램 수요에 안정적으로 대응할 수 있는 양산 체제를 구축할 계획이다.
[ 류석균 기자 jisik4523@newskan.com ]
류석균 기자 기자의 다른 기사 보기
기사제보 및 보도자료 news@newskan.com
뉴스칸(www.newskan.com) - copyright ⓒ 경제신문 No.1 뉴스칸. 무단전재 & 재배포 금지

화제의 포토

화제의 포토더보기

    화제의동영상

    화제의 동영상
    • 회사소개
    • 광고안내
    • 제휴·광고문의
    • 기사제보
    • 정기구독신청
    • 다이렉트결제
    • 고객센터
    • 저작권정책
    • 회원약관
    • 개인정보취급방침
    • 이메일주소무단수집거부
    • RSS
    • 명칭 : (주)미래와경영 | 주소 : 서울특별시 금천구 가산디지털1로 84, 11층 | 인터넷신문등록번호 : 서울 아02668 | 제호 : 뉴스칸
      등록일자 : 2013.05.28 | 발행인,편집인 : 조헌성 | 통신판매업신고 : 제 2016-서울금천-1118호 | E-mail : news@newskan.com
      사업자등록번호 : 220-81-81950 | 전화번호 : 02)837-4490 | 청소년보호책임자 : 류석균
      Copyrights © NEWSKAN. All rights reserved. 
      경제신문 No.1 뉴스칸의 모든 콘텐츠(기사)는 저작권법의 보호를 받습니다. 무단 전재·복사·배포 등을 금합니다.