»ï¼ºÀüÀÚ ¿¬±¸ÁøÀÌ MRAM(ÀÚ±âÀúÇ׸޸ð¸®, Magnetoresistive Random Access Memory)À» ±â¹ÝÀ¸·Î ÇÑ ÀÎ-¸Þ¸ð¸®(In-Memory) ÄÄÇ»ÆÃÀ» ¼¼°è ÃÖÃÊ·Î ±¸ÇöÇÏ°í, ¿¬±¸ °á°ú¸¦ ¼¼°èÀûÀÎ ÇмúÁö ³×ÀÌó(Nature)¿¡ °ÔÀçÇß´Ù.
À̹ø ¿¬±¸´Â Á¤½Âö »ï¼ºÀüÀÚ Á¾ÇÕ±â¼ú¿ø Àü¹®¿¬±¸¿øÀÌ Á¦1ÀúÀÚ·Î, ÇÔµ·Èñ Á¾ÇÕ±â¼ú¿ø Æç·Î¿ì ¹× ÇϹöµå´ëÇб³ ±³¼ö¿Í ±è»óÁØ Á¾ÇÕ±â¼ú¿ø ¸¶½ºÅÍ°¡ °øµ¿ ±³½ÅÀúÀÚ·Î Âü¿©Çß´Ù.
»ï¼ºÀüÀÚ Á¾ÇÕ±â¼ú¿ø, ¹ÝµµÃ¼¿¬±¸¼Ò, ÆÄ¿îµå¸®»ç¾÷ºÎ ¿¬±¸¿øµéµµ °øµ¿À¸·Î ¿¬±¸¿¡ Âü¿©Çß´Ù.
±âÁ¸ ÄÄÇ»ÅÍ´Â µ¥ÀÌÅÍÀÇ ÀúÀåÀ» ´ã´çÇÏ´Â ¸Þ¸ð¸® Ĩ°ú µ¥ÀÌÅÍÀÇ ¿¬»êÀ» Ã¥ÀÓÁö´Â ÇÁ·Î¼¼¼ ĨÀ» µû·Î ³ª´² ±¸¼ºÇÑ´Ù.
ÀÎ-¸Þ¸ð¸® ÄÄÇ»ÆÃÀº ¸Þ¸ð¸® ³»¿¡¼ µ¥ÀÌÅÍÀÇ ÀúÀå»Ó¸¸ ¾Æ´Ï¶ó µ¥ÀÌÅÍÀÇ ¿¬»ê±îÁö ¼öÇàÇÏ´Â ÃÖ÷´Ü Ĩ ±â¼úÀÌ´Ù.
¸Þ¸ð¸® ³» ´ë·®ÀÇ Á¤º¸¸¦ À̵¿ ¾øÀÌ ¸Þ¸ð¸® ³»¿¡¼ º´·Ä ¿¬»êÇϱ⠶§¹®¿¡ Àü·Â ¼Ò¸ð°¡ ÇöÀúÈ÷ ³·¾Æ Â÷¼¼´ë ÀúÀü·Â ÀΰøÁö´É(AI) ĨÀ» ¸¸µå´Â À¯·ÂÇÑ ±â¼ú·Î ÁÖ¸ñ¹Þ°í ÀÖ´Ù.
RRAM (ÀúÇ׸޸ð¸®, Resistive RAM)°ú PRAM (»óº¯È¸Þ¸ð¸®, Phase-change RAM) µî ºñÈֹ߼º ¸Þ¸ð¸®¸¦ È°¿ëÇÑ ÀÎ-¸Þ¸ð¸® ÄÄÇ»ÆÃÀÇ ±¸ÇöÀº ¼ö³â°£ Àü ¼¼°èÀûÀ¸·Î °ü½ÉÀÌ ³ôÀº ¿¬±¸ ÁÖÁ¦¿´´Ù.
ÇÏÁö¸¸ ¶Ç ´Ù¸¥ ºñÈֹ߼º ¸Þ¸ð¸®ÀÎ MRAMÀº µ¥ÀÌÅÍ ¾ÈÁ¤¼ºÀÌ ³ô°í ¼Óµµ°¡ ºü¸¥ ÀåÁ¡¿¡µµ ³·Àº ÀúÇ×°ªÀ» °®´Â Ư¼ºÀ¸·Î ÀÎ-¸Þ¸ð¸® ÄÄÇ»Æÿ¡ Àû¿ëÇصµ Àü·Â ÀÌÁ¡ÀÌ Å©Áö ¾Ê¾Æ ÀÎ-¸Þ¸ð¸® ÄÄÇ»ÆÃÀ¸·Î ±¸ÇöµÇÁö ¸øÇß´Ù.
»ï¼ºÀüÀÚ ¿¬±¸ÁøÀº ÀÌ·¯ÇÑ MRAMÀÇ ÇѰ踦 ±âÁ¸ÀÇ ¡®Àü·ù Çջꡯ ¹æ½ÄÀÌ ¾Æ´Ñ »õ·Î¿î °³³äÀÇ ¡®ÀúÇ× Çջꡯ ¹æ½ÄÀÇ ÀÎ-¸Þ¸ð¸® ÄÄÇ»Æà ±¸Á¶¸¦ Á¦¾ÈÇÔÀ¸·Î½á ÀúÀü·Â ¼³°è¿¡ ¼º°øÇß´Ù.
¿¬±¸ÁøÀº MRAM ±â¹Ý ÀÎ-¸Þ¸ð¸® ÄÄÇ»Æà ĨÀÇ ¼º´ÉÀ» ÀΰøÁö´É °è»ê¿¡ ÀÀ¿ëÇØ ¼ýÀÚ ºÐ·ù¿¡¼´Â ÃÖ´ë 98%, ¾ó±¼ °ËÃâ¿¡¼´Â 93%ÀÇ Á¤È®µµ·Î µ¿ÀÛÇÏ´Â °ÍÀ» °ËÁõÇß´Ù.
À̹ø ¿¬±¸´Â ½Ã½ºÅÛ ¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤°ú Á¢¸ñÇØ ´ë·® »ý»êÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ºñÈֹ߼º ¸Þ¸ð¸®ÀÎ MRAMÀ» ¼¼°è ÃÖÃÊ·Î ÀÎ-¸Þ¸ð¸® ÄÄÇ»ÆÃÀ¸·Î ±¸ÇöÇÏ°í, Â÷¼¼´ë ÀúÀü·Â AI Ĩ ±â¼úÀÇ ÁöÆòÀ» È®ÀåÇß´Ù´Â µ¥ Å« Àǹ̰¡ ÀÖ´Ù.
»ï¼ºÀüÀÚ´Â ÃÊ°ÝÂ÷ ¸Þ¸ð¸® ±â¼ú ¿ª·®À» ½Ã½ºÅÛ ¹ÝµµÃ¼ ±â¼ú°ú Á¢¸ñÇØ Â÷¼¼´ë ÄÄÇ»Æà ¹× ÀΰøÁö´É ¹ÝµµÃ¼ ºÐ¾ß¿¡¼ Áö¼ÓÀûÀ¸·Î ±â¼ú ¸®´õ½ÊÀ» È®ÀåÇØ ³ª°¥ °èȹÀÌ´Ù.